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TO-247-3

规格

速率

Blocking Voltage(V)

1200/2200V

封装

Rds(on)(mΩ)

7-1000

DRAM 类型

Tj‌(℃)

-55℃ to 175℃

DRAM 密度

认证

车规级/工业级

探索碳化硅MOSFET产品矩阵

PKG Part Number Blocking Voltage (V) Rds(on) (mΩ) Datasheet

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