8英寸SiC晶圆

深耕SiC核心工艺技术,显著提升晶圆综合竞争力

奕能科技前瞻布局8英寸SiC晶圆全自动化生产线,采用自主研发的平面型及沟槽型器件设计结构、行业标杆的工艺设备与工艺技术，完善的检测系统，显著提升生产效率与产品良率，提供极具综合竞争力的国产SiC晶圆。

高能、高电流、高温深离子注入工艺技术，可实现掺杂深度与浓度分布的精准控制，在目标区域形成最优掺杂结构。同时，通过晶格损伤抑制与活化机制，显著降低器件导通电阻，可有效确保器件性能与一致性。

高温活化（Activation）与表面损伤修复（Damage Repair）工艺，确保掺杂剂充分迁移并占据晶格位点，从而显著提升器件电气活性与耐压性能。表面损伤修复工艺有效防止硅蒸发引起的粗糙度上升，保持界面平整度，提升击穿电压与长期可靠性，为高压器件稳定运行提供坚实保障。

通过优化刻蚀及后续热处理工艺，使器件边缘转角平滑，控制边缘粗糙度，可有效缓解电场集中问题，显著提升氧化膜生长质量与界面可靠性，可使得器件在高电压条件下保持优异的特性，为高稳定性SiC器件设计提供关键技术基础。

通过优化前处理、低温均匀生长与后续热处理流程，形成缺陷密度极低、电子迁移率高的优质栅氧层，可有效降低漏电流与阈值电压漂移，实现器件在高温高压条件下的长期稳定运行，确保产品性能的一致性与可靠性。

在源漏区硅化物形成时，通过精准控制金属种类、厚度与热处理参数（包括激光工艺），可显著降低器件导通电阻，并具备优异的热稳定性与抗老化特性，为器件提供了高效率与高可靠性的双重保障。